NSi6601C-DSPR

NSI6601是一款单通道隔离式栅极驱动器，旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离式输出，可分别控制上升和下降时间。其源极和漏极可提供5A的峰值电流。 NSI6601采用SOP8或SOW8封装，根据UL1577标准，可支持3000VRMS或5700VRMS的隔离。150kV/μs的最小共模瞬态抗扰度（CMTI）确保了系统的稳健性。该驱动器的最大工作电源电压为32V，而输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均具备欠压锁定（UVLO）保护功能。凭借高驱动电流、出色的稳健性、宽电源电压范围和快速的信号传播特性，NSI6601适用于对可靠性、功率密度和效率要求较高的开关电源系统。

• 隔离式单通道驱动器
• 输入侧电源电压：3.1V至17V
• 驱动器侧电源电压：最高32V，具备9V和13V的UVLO选项
• 5A峰值源极和漏极输出电流
• 高CMTI：±150kV/μs
• 典型传播延迟78ns
• 工作环境温度：-40℃至125℃
• 可选AEC-Q100 1级标准
• 符合RoHS和REACH标准：SOP8、SOW8

• 隔离式DC/DC和AC/DC电源
• 高压PFC
• 太阳能逆变器
• 电机驱动器和电动汽车充电
• UPS和电池充电器