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NSI6601MC-DSWVR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSI6601MC-DSWVR

NSI6601MC-DSWVR

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描述
NSi6601M是一款单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离式输出,可分别控制上升和下降时间。其灌拉峰值电流可达5A
商品型号
NSI6601MC-DSWVR
商品编号
C5441135
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.353克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5700
通道数1
输入侧工作电压3V~17V
拉电流(IOH)5A
灌电流(IOL)5A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
属性参数值
上升时间(tr)20ns
下降时间(tf)18ns
传播延迟 tpLH110ns
传播延迟 tpHL110ns
静态电流(Iq)900uA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~32V

商品概述

NSi6601M是一款单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离输出,可分别控制上升和下降时间。其源极和漏极峰值电流可达5A。 NSi6601M采用SOP8(150 mil)或SOP8(300 mil)封装,分别可支持符合UL1577标准的3000VRMS和5700VRMS隔离。最小150kV/us的共模瞬态抗扰度(CMTI)确保了系统的稳健性。 该驱动器的最大工作电源电压为32V,而输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均具备欠压锁定(UVLO)保护功能。 由于具备高驱动电流能力、出色的稳健性、宽电源电压范围和快速信号传播特性,NSi6601M适用于高可靠性、高功率密度和高效的开关电源系统。

商品特性

  • 隔离式单通道驱动器
  • 米勒钳位选项(NSi6601MB/MC/WC)
  • 输入侧电源电压:3.1V至17V
  • 驱动器侧电源电压:最高32V,具备9V和12V欠压锁定选项
  • 5A峰值源极和漏极输出电流
  • 最小CMTI:±150kV/us
  • 典型传播延迟80ns
  • 工作环境温度:-40℃至125℃
  • 符合RoHS标准的封装:SOP8(150 mil)、SOP8(300 mil)

应用领域

  • 隔离式DC/DC和AC/DC电源
  • 高压PFC
  • 太阳能逆变器
  • 电机驱动器和电动汽车充电
  • UPS和电池充电器

数据手册PDF