NSI6601MC-DSWVR
NSI6601MC-DSWVR
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- 描述
- NSi6601M是一款单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离式输出,可分别控制上升和下降时间。其灌拉峰值电流可达5A
- 品牌名称
- NOVOSENSE(纳芯微)
- 商品型号
- NSI6601MC-DSWVR
- 商品编号
- C5441135
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.353克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5700 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~17V | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 18ns | |
| 传播延迟 tpLH | 110ns | |
| 传播延迟 tpHL | 110ns | |
| 静态电流(Iq) | 900uA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~32V |
商品概述
NSi6601M是一款单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动多种应用中的IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET。它提供分离输出,可分别控制上升和下降时间。其源极和漏极峰值电流可达5A。 NSi6601M采用SOP8(150 mil)或SOP8(300 mil)封装,分别可支持符合UL1577标准的3000VRMS和5700VRMS隔离。最小150kV/us的共模瞬态抗扰度(CMTI)确保了系统的稳健性。 该驱动器的最大工作电源电压为32V,而输入侧可接受3.1V至17V的电源电压。所有电源电压引脚均具备欠压锁定(UVLO)保护功能。 由于具备高驱动电流能力、出色的稳健性、宽电源电压范围和快速信号传播特性,NSi6601M适用于高可靠性、高功率密度和高效的开关电源系统。
商品特性
- 隔离式单通道驱动器
- 米勒钳位选项(NSi6601MB/MC/WC)
- 输入侧电源电压:3.1V至17V
- 驱动器侧电源电压:最高32V,具备9V和12V欠压锁定选项
- 5A峰值源极和漏极输出电流
- 最小CMTI:±150kV/us
- 典型传播延迟80ns
- 工作环境温度:-40℃至125℃
- 符合RoHS标准的封装:SOP8(150 mil)、SOP8(300 mil)
应用领域
- 隔离式DC/DC和AC/DC电源
- 高压PFC
- 太阳能逆变器
- 电机驱动器和电动汽车充电
- UPS和电池充电器
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