温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FS4803
2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低导通电阻：RDS(ON) = 36mΩ（典型值），VGS =-10V；RDS(ON) = 50mΩ（典型值），VGS =-4.5V。应用：笔记本电脑电源管理。 电池电源系统
- 品牌名称
- FOSAN(富捷/富信)
- 商品型号
- FS4803
- 商品编号
- C5441155
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FKD3031是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 FKD3031符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术