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SQJQ402E-T1_GE3
40V 200A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 薄1.9mm高度
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ402E-T1_GE3
- 商品编号
- C5441173
- 商品封装
- PowerPAK-8x8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.491克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 260nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 符合AEC-Q101标准
- 100%进行Rq和UIS测试
- 厚度仅1.9 mm
- 符合RoHS标准,无卤
应用领域
- 负载开关
- DC-DC转换
- 负载点高频同步