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CJQ4459A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CJQ4459A

耐压:30V 电流:6A

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描述
CJQ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品型号
CJQ4459A
商品编号
C5441191
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.190775克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)2.3W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.4nC@10V
输入电容(Ciss)760pF@15V
反向传输电容(Crss)66pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)107pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 7.5 mΩ(典型值)
  • 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 9.5 mΩ(典型值)

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理
  • DC/DC电源系统
  • 负载点高频同步降压转换器

数据手册PDF