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CJ4459A
1个P沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- CJ4459A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJ4459A
- 商品编号
- C5441190
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 683pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54.6pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值），VGS = 10 V
- RDS(ON) = 10 mΩ（典型值），VGS = 4.5 V
应用领域
- 负载开关
- DC-DC电源系统
- 负载点高频同步降压转换器