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BMDFN2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.71A
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- 描述
- 沟槽技术 超高密度单元设计 针对更高直流电流具备出色的导通电阻
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMDFN2302
- 商品编号
- C5439978
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 710mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 670mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 0.71A
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V,典型值 = 220mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 2.5V,典型值 = 260mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 1.8V,典型值 = 315mΩ
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关