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BM3134E
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 描述
- 特性：VDS = 20V。 ID = 0.5A。 RDS(ON)@VGS = 4.5V, TYP = 220mΩ。 RDS(ON)@VGS = 2.5V, TYP = 290mΩ。 无铅产品。 先进沟槽工艺技术。应用：负载/电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM3134E
- 商品编号
- C5439977
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V；290mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.540Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.8至4.2 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- PD适配器、液晶与等离子电视及LED照明
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