SI2301F
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
- 品牌名称BORN(伯恩半导体)
商品型号
SI2301F商品编号
C5439975商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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