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SI2301F
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
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- 描述
- 先进沟槽工艺技术；高功率和电流处理能力；可提供无铅产品；采用SOT - 23表面贴装封装。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- SI2301F
- 商品编号
- C5439975
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- VDS = -20V
- ID = -2.2A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON)典型值为95mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON)典型值为130mΩ
应用领域
-PWM应用-负载开关