温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SVF2N60RM
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVF2N60RM
- 商品编号
- C601627
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SVF2N60RD/M/MJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。
商品特性
- 2A、600V,RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- AC-DC 电源
- DC-DC 转换器
- H 桥 PWM 电机驱动器