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DMN6068SEQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:5.6A
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN6068SEQ-13
- 商品编号
- C5377959
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 16W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.55nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 502pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.1pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |