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DMN33D8LV-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LV-7
- 商品编号
- C5378687
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 550pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO6601采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器，适用于多种应用。
商品特性
- VDS(V) = -30 V
- ID = -2.3 A (VGS = -10 V)
- RDS(ON) < 115 mΩ (VGS = -10 V)
- VDS(V) = 30 V，ID = 3.4 A (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 70 mΩ (VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) < 90 mΩ (VGS = 2.5 V)
- RDS(ON) < 150 mΩ (VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 200 mΩ (VGS = -2.5 V)
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