温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN33D8LV-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LV-7
- 商品编号
- C5378687
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 550pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO6601采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器，适用于多种应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具有2kV静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
相似推荐
其他推荐