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DMN3115UDMQ-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- 这款新一代MOSFET的设计旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3115UDMQ-7
- 商品编号
- C5378690
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 476pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 栅极具备ESD保护
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- DIODESTTM DMN3115UDMQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
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