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DMT3020LDT-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT3020LDT-7
- 商品编号
- C5378678
- 商品封装
- VDFN3030-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 393pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于背光照明、电源管理功能和DC - DC转换器。
商品特性
-低栅极阈值电压-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能