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DMN4020LFDEQ-7
1个N沟道 耐压:40V 电流:8.6A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下方面：通用接口、开关电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN4020LFDEQ-7
- 商品编号
- C5378675
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.201nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(on) ，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低栅极阈值电压-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能