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GSD07N65E
650V、7A功率MOSFET
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- 描述
- GSx07N65E是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具备更优特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- GSD07N65E
- 商品编号
- C5375282
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |