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GSA25N65EF
超结场效应晶体管
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- 描述
- 芯片采用超结工艺制造，具有极低的导通电阻，适用于高功率密度和高能效的电源电路。
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- GSA25N65EF
- 商品编号
- C5375286
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.557克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
芯淳半导体（XCH Semiconductor）拥有适用于500V至1000V电压的系列多外延层超结功率MOSFET平台，具备设计服务和制造能力，包括单元、终端设计和仿真。 GSx25N65EF是一款低压N沟道多外延层超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具有更好的特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻和出色的雪崩特性。
商品特性
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) = 0.14Ω
- 漏源电压(VDS) = 650V
- 内置本征快速恢复体二极管。
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