温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM-2N7002LT1G
N沟道增强型场效应晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM-2N7002LT1G
- 商品编号
- C5353602
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO4606采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，并适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 30V RDS(ON) = 15mΩ（典型值）@ VGS = 10V
- RDS(ON) = 24mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V
- P沟道
- -30V RDS(ON) = 44mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- RDS(ON) = 60mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换