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LM-L2N7002LT1G
N沟道增强型场效应晶体管
- 描述
- Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- LM-L2N7002LT1G
- 商品编号
- C5353604
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
MPF20N50是一款硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 500 V，ID = 20 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 0.29 Ω
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源