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IRFBF20STRLPBF
1个N沟道 耐压:900V 电流:1.7A
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- 描述
- 威世（Vishay）的第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBF20STRLPBF
- 商品编号
- C5346010
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：QSW = 2.6 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 150 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器