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SQ4284EY-T1_GE3

2个N沟道耐压:40V 电流:8A

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描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。材料分类：如需了解合规定义，请参考相关文档
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SQ4284EY-T1_GE3
商品编号: C5346013
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.45克(g)

商品参数

商品概述

Truesemi超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。

商品特性

550V @TJ = 150℃
典型RDS(on) = 0.12Ω
超低栅极电荷（典型Qg = 70nC）
100%经过雪崩测试

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	8A
	导通电阻(RDS(on))	13.5mΩ@10V,8A
	耗散功率(Pd)	3.9W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.2nF@25V
	反向传输电容(Crss)	116pF@25V
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	252pF