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SI7120ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7120ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C5346012
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Truesemi超结场效应晶体管（SJ-FET）是新一代高压MOSFET系列产品，采用先进的电荷平衡机制，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。 这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。 SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- 550V @TJ = 150 ℃
- 典型RDS(on) = 0.35Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 35nC）
- 100%经过雪崩测试