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AGM035N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:112A
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- 描述
- AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM035N10A
- 商品编号
- C5297509
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.432nF |
商品概述
UTC 05N30 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供最小导通电阻、低栅极电荷和卓越的开关性能。
商品特性
- 在栅源电压 (VGS) = 10V、漏极电流 (ID) = 0.25A 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) ≤ 5.0Ω
- 开关速度快
- 经过 100% 雪崩测试