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AGM15T13A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM15T13A

1个N沟道 耐压:150V 电流:99A

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描述
AGM15T13A 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻 (RDS(ON))。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM15T13A
商品编号
C5297525
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)99A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)254W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)2.33nF
反向传输电容(Crss)53pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)720pF

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器

数据手册PDF