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AGM15T13C
1个N沟道 耐压:150V 电流:99A
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- 描述
- AGM15T13C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM15T13C
- 商品编号
- C5297529
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 212W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 316pF |
商品概述
UTC 30NM90-Q 是一款超级结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器中。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),以最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷,可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS 测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点(POL)应用
- 无刷直流(BLDC)电机驱动器