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DMN3021LFDF-7实物图
  • DMN3021LFDF-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3021LFDF-7

1个N沟道 耐压:30V 电流:9.3A

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描述
该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3021LFDF-7
商品编号
C5298140
商品封装
UDFN-6-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.042409克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)730mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)6.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)706pF
反向传输电容(Crss)81pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)112pF

商品概述

AGM15T13A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 0.6mm厚度——适用于薄型应用
  • 4mm2的PCB占位面积
  • 低栅极阈值电压
  • 快速开关速度
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 电池管理应用
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器

数据手册PDF