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AP40N100K
耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 特性：100V, 40A。RDS(ON) < 23 mΩ @ VGS = 10 V (典型值: 18 mΩ)。RDS(ON) < 33 mΩ @ VGS = 4.5 V (典型值: 25 mΩ)。分裂栅沟槽技术。获得无铅产品。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- AP40N100K
- 商品编号
- C5298149
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.605375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF@50V | |
| 工作温度 | - |
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