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AGM042N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- AGM042N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM042N10A
- 商品编号
- C5297512
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V；6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.342nF |
商品概述
SVGP104R1NL5 是一款采用士兰微 LVMOS 技术生产的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别优化，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。 该器件广泛应用于 UPS 和逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
-MB/VGA Vcore-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器