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AGM1010A2
1个N沟道 耐压:100V 电流:74A
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- 描述
- AGM1010A2将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM1010A2
- 商品编号
- C5297516
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.433nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 631pF |
商品特性
- N沟道：漏源电压VDS = 20 V
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 60 mΩ（栅源电压VGS为4.5 V，漏源电流IDS为1 A时）
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 75 mΩ（栅源电压VGS为2.5 V，漏源电流IDS为1 A时）
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 100 mΩ（栅源电压VGS为1.8 V，漏源电流IDS为1 A时）
- P沟道：漏源电压VDS = -20 V
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 80 mΩ（栅源电压VGS为 -4.5 V，漏源电流IDS为 -1.0 A时）
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 95 mΩ（栅源电压VGS为 -2.5 V，漏源电流IDS为 -1.0 A时）
- 导通状态下的漏源电阻RDS(ON) ≤ 120 mΩ（栅源电压VGS为 -1.8 V，漏源电流IDS为 -1.0 A时）
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。