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AGM035N10H
1个N沟道 耐压:100V 电流:150A
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- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM035N10H
- 商品编号
- C5297511
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM425MD将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度地降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电动机驱动器