WCN770N15S
WCN770N15S
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WCN770N15S
- 商品编号
- C5290242
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 874pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM6007是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6007为无铅产品。
商品特性
- 分裂栅沟槽技术
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 出色的导通电阻
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100%进行了栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 反激式结构以太网供电(POE)电源的初级开关
- 高压同步整流器