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SVG103R0NSTR
N沟道 耐压:100V 电流:180A
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- 描述
- SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVG103R0NSTR
- 商品编号
- C5258899
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.542nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.264nF |