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1216D2
1个P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- 1216D2采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态电阻（Rps(on)）、低栅极电荷，并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用以及其他多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 1216D2
- 商品编号
- C5258929
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |