商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200~900 | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | - |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压(BVCEO)> 40 V
- 集电极连续电流(IC)高达 1 A
- 低饱和电压:在 1 A 电流下,集电极 - 发射极饱和电压(VCE(sat))< 500 mV
- 互补 PNP 型:FCX591A
- 完全无铅,完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 另有符合汽车标准的型号(FCX491AQ),数据手册单独提供
应用领域
- 功率 MOSFET 栅极驱动
- 低损耗功率开关


