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FMMT734
PNP 116V 800mA
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- 描述
- 特性：BVCEO > -100V。 IC = -800mA，高连续集电极电流。 达林顿晶体管，在100mA时，IFE > 20k，高增益。 高增益保持。 高达5A。 625mW功率耗散。 互补达林顿NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FMMT734
- 商品编号
- C5249005
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 116V | |
| 直流电流增益(hFE) | 20000 | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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