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DMN2451UFB4Q-7B
1个N沟道
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- 描述
- 车用产品
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2451UFB4Q-7B
- 商品编号
- C5248854
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 660mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 仅 0.6 mm^2 的占位面积——比SOT23小十三倍
- 0.4mm的高度——适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- DMN2451UFB4Q适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
-负载开关