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CSD19532Q5BT-HXY
CSD19532Q5BT-HXY
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- 描述
- ID:120A,VDSS:100V,RDON:3.6mR,TYPE:N沟道,
- 商品型号
- CSD19532Q5BT-HXY
- 商品编号
- C55510086
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- SI2333DDS-T1-GE3-HXY
- AON7262E
- SI4850EY-T1-E3-HXY
- DMN62D0UW-7-HXY
- DMT6007LFG-7-HXY
- FDMC8327L-HXY
- RSS070N05HZGTB-HXY
- SIR876ADP-T1-GE3-HXY
- IRF640PBF-HXY
- IPD180N10N3GATMA1-HXY
- CSD19535KTT-HXY
- IRFR3710ZTRPBF-HXY
- SI4425DDY-T1-GE3-HXY
- AO4447
- SI2318-1-HXY
- LMV321-1-HXY
- BMI088-HXY
- 74HC595D-Gcore
- CD4051-Gcore
- 78L05-Gcore
- ULN2402A-Gcore