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IRF640PBF-HXY
IRF640PBF-HXY
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- 描述
- ID:18A,VDSS:200V,RDON:120mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
- 商品型号
- IRF640PBF-HXY
- 商品编号
- C55510145
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.441667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.318nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |