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IPD180N10N3GATMA1-HXY
IPD180N10N3GATMA1-HXY
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- 描述
- ID:60A,VDSS:100V,RDON:13.5mR,TYPE:N沟道,
- 商品型号
- IPD180N10N3GATMA1-HXY
- 商品编号
- C55510146
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |