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SI4425DDY-T1-GE3-HXY
SI4425DDY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- ID:15A,VDSS:30V,RDON:7.5mR,VGS:20V,TYPE:P沟道,
- 商品型号
- SI4425DDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C55510149
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146939克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |