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DMN62D0UW-7-HXY
DMN62D0UW-7-HXY
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- 描述
- ID:0.1A,VDSS:60V,RDON:1300mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
- 商品型号
- DMN62D0UW-7-HXY
- 商品编号
- C55510090
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036735克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |