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SI2333DDS-T1-GE3-HXY
SI2333DDS-T1-GE3-HXY
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- 描述
- ID:7A,VDSS:20V,RDON:20mR,TYPE:P沟道,
- 商品型号
- SI2333DDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C55510087
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041935克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |