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VOD3120AB-T
输出电流2.5A的IGBT和MOSFET驱动器
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- 描述
- VOD3120A由一个砷铝化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VOD3120AB-T
- 商品编号
- C5236672
- 商品封装
- SMD-8P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 工作电压 | 15V~30V | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 静态电流(Iq) | 2mA |
商品概述
VOD3120A由一个AlGaAs LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压。VOD3120A非常适合直接驱动额定值高达1200 V / 100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，VOD3120A可用于驱动一个分立功率级，该功率级再驱动IGBT栅极。
商品特性
- 最小峰值输出电流2.5 A
- 轨到轨输出级
- 无铅
- 共模抑制比50 kV/μs
- 宽工作电压范围15 V至30 V
- 工业温度范围 -40 ℃至 +105 ℃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式IGBT / MOSFET栅极驱动器
- 交流和无刷直流电机驱动器
- 电磁炉
- 工业逆变器
- 不间断电源（UPS）