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IRLML2402TR(UMW)
耐压:20V 电流:1.2A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLML2402TR(UMW)
- 商品编号
- C5236680
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
IRLML2402TR采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V
- 漏极电流(ID) = 1.2A (环境温度(TA) = 25°C)
- 典型栅极电荷(Qg) = 2.6nC
- 导通电阻(RDS(ON)) < 145mΩ (栅源电压(VGS) = 4.5V)