温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN306P(UMW)
1个P沟道 耐压:12V 电流:2.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。VDS(V) = 12V。ID = -2.6A。RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDN306P(UMW)
- 商品编号
- C5236682
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.138nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 302pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 454pF |