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BS170FTA
耐压:60V 电流:250mA
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- BS170FTA
- 商品编号
- C5236685
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
该器件采用先进沟槽技术，提供优异的R_DS(ON)、低栅极电荷，并支持低至2.5V的栅极电压工作。它适合用作负载开关或应用于PWM场合。
商品特性
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准
- 低阈值电压：2V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- V_DS = 60V
- I_D = 250mA
- R_DS(ON) < 2.8Ω (V_GS = 10V)
- 低输入和输出漏电流
- TrenchFET功率MOSFET
- 1200V ESD保护
- 符合RoHS指令2002/95/EC