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SI2333CDS
耐压:12V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：VDS(V)为12V。 Qg为9nC。 RDS(ON)<35mΩ（VGS=-4.5V，ID=-5.1A）。 RDS(ON)<45mΩ（VGS=-2.5V，ID=-4.5A）。 RDS(ON)<59mΩ（VGS=-1.8V，ID=-3.0A）。应用：负载开关。 PA开关
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2333CDS
- 商品编号
- C5236681
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品特性
- 漏源电压 V_DS(V) = -12V
- 总栅极电荷 Q_g = 9nC
- 在 V_GS = -4.5V， I_D = -5.1A 条件下，导通电阻 R_DS(ON) < 35mΩ
- 在 V_GS = -2.5V， I_D = -4.5A 条件下，导通电阻 R_DS(ON) < 45mΩ
- 在 V_GS = -1.8V， I_D = -3.9A 条件下，导通电阻 R_DS(ON) < 59mΩ
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关