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WTM05N50FVD
N沟道功率MOSFET,高压段通用,低导通电阻、低栅极电荷，适用于辅助电源、小功率适配器、待机电源
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- 描述
- N沟道功率MOSFET，额定电压500V/电流5A，导通电阻1.4Ω，栅极电荷仅19nC，TO-252贴片封装，适用于辅助电源、小功率适配器及待机电源等小电流高压应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM05N50FVD
- 商品编号
- C55336056
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 775pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |