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WTM30N65FMP
N沟道功率MOSFET,高压段通用,低导通电阻、低栅极电荷，适用于ATX电源、适配器、照明驱动、工业电源
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- 描述
- N沟道超结功率MOSFET，额定电压650V/电流30A，超结结构实现低至121mΩ导通电阻，栅极电荷46nC，开关损耗低，适用于ATX电源、适配器及工业电源等大功率应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N65FMP
- 商品编号
- C55336060
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.153333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 121mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 265W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.072nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 101pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |