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WTM50P10GP
P沟道功率MOSFET,中压段通用,无需自举、直接高端驱动，适用于电源隔离、负载切换、电池防反接
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- 描述
- P沟道增强型功率MOSFET，额定电压100V/电流50A，栅极驱动无需自举电路，导通电阻40mΩ，栅极电荷40nC，适用于高端负载切换、电源隔离及电池防反接保护等应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM50P10GP
- 商品编号
- C55336061
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |